Главная страница

14 октября 2022 г.

Детекторы синхротронного рентгеновского излучения на основе арсенида галлия, компенсированного хромом (HR GaAs:Cr)

Место проведения

корпус № 3 ТПУ, аудитория 210

Время проведения

10:25-14:15
перерыв 12:00-12:40

Форма участия

очная

Языки

русский

Лекции

Д.ф.-м.н., лаборатория детекторов синхротронного излучения, Центр «Перспективные технологии в микроэлектронике», ТГУ
E-mail: top@mail.tsu.ru

Доклад

Электронные свойства сильно компенсированных полупроводников, HR GaAs:Cr структура

К.ф.-м.н., лаборатория детекторов синхротронного излучения, Центр «Перспективные технологии в микроэлектронике», ТГУ
E-mail: funcelab@gmail.com

Доклад

Моделирование физических процессов в полупроводниковых сенсорах рентгеновского излучения

Лаборатория детекторов синхротронного излучения, Центр «Перспективные технологии в микроэлектронике», ТГУ
E-mail: zarubin_an@mail.ru

Доклад

Базовые технологические процессы производства многоэлементных HR GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения

Лаборатория детекторов синхротронного излучения, Центр «Перспективные технологии в микроэлектронике», ТГУ
E-mail: antontyazhev@mail.ru

Доклад

Многоэлементные счетные детекторы рентгеновского излучения на основе HR GaAs:Cr сенсоров